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XP83T03GJB
零件编号：
XP83T03GJB
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
YAGEO XSemi
描述：
MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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规格
  • 零件状态
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  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Through Hole
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
  • 供应商器件封装
    TO-251S
  • 场效应晶体管类型
    N-Channel
  • 技术
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    30 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
    4.5V, 10V
  • 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    6mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    3V @ 250µA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    34 nC @ 4.5 V
  • 最大栅源电压
    ±20V
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    1840 pF @ 25 V
  • 最大功耗
    60W (Tc)
  • 场效应晶体管特性
    -
  • 18098902467

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