收藏 比较
GCMX080B120S1-E1
零件编号：
GCMX080B120S1-E1
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
SemiQ
描述：
SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF:
立即购买 添加到购物车
库存 1628
最小 : 1
数量
单价
价格
1
20.35
20.35
10
14.59
145.9
100
11.55
1155
规格
  • 零件状态
    Active
  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Chassis Mount
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 供应商器件封装
    SOT-227
  • 场效应晶体管类型
    N-Channel
  • 技术
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    1200 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
    20V
  • 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    100mOhm @ 20A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    4V @ 10mA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    58 nC @ 20 V
  • 最大栅源电压
    +25V, -10V
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    1336 pF @ 1000 V
  • 最大功耗
    142W (Tc)
  • 场效应晶体管特性
    -
  • 18098902467

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

提交

它是空的