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G12P03D3
零件编号：
G12P03D3
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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5.5
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36
500
0.28
140
1000
0.25
250
2000
0.23
460
规格
  • 零件状态
    Active
  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
    8-DFN (3.15x3.05)
  • 场效应晶体管类型
    P-Channel
  • 技术
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    30 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
    4.5V, 10V
  • 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    20mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    2V @ 250µA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    24.5 nC @ 10 V
  • 最大栅源电压
    ±20V
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    1337 pF @ 15 V
  • 最大功耗
    30W (Tc)
  • 场效应晶体管特性
    -
  • 18098902467

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